zycgr210708012026年9至12月政府采购意向

A02330300电子工业生产设备

1. 在金属互联工艺中，通过电感耦合等离子体刻蚀技术，实现氧化硅或氮化硅层材料开孔 技术指标：样品尺寸：8英寸向下兼容；气体：CHF3、C4F8、CF4、H2、Ar、He、O2、SF6 刻蚀面内均匀性： ≤5%；侧壁形貌：氧化硅侧壁≥85°，刻蚀截面光滑 2. 数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。

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1. 针对硅深孔中化学气相沉积掺杂多晶硅材料后的平坦化工艺。 技术指标：样品尺寸：8英寸晶圆；去除率：≥150nm/min；去除率均匀性： ≤5%；表面粗糙度： ≤0.5nm。 2. 数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。

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1. 针对金属互联中孔槽化学气相沉积钨材料后的平坦化工艺 技术指标：样品尺寸：8英寸晶圆；去除率：≥150nm/min；去除率均匀性： ≤5%； 表面粗糙度： ≤0.5nm；抛光后钨凹陷：≤50nm。 2. 数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。

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1. 通过化学气相沉积氧化硅、氮化硅、TEOS介质层。 技术指标：样品尺寸：8英寸向下兼容；沉积材料：至少包含氧化硅、氮化硅、TEOS；腔体加热温度：最高不低于350℃；沉积膜厚均匀性优于±5%。 2. 数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。

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1. 在深孔或浅槽结构上沉积钛铜薄膜，以利后续电镀工序。 技术指标：样品尺寸：8英寸向下兼容；主腔背景真空：≤5E-8 Torr；进样腔配有除气功能； 靶枪数：≥3；膜厚均匀性：优于±3% 2. 数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。

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1. 将背面硅衬底材料部分移除后，露出通孔金属，以利后续键合 技术指标：样品尺寸：至少兼容4、6、8英寸晶圆；减薄后厚度：≤150µm；减薄后表面粗糙度： ≤10nm；减薄后TTV： ≤2µm。 2. 数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。

A02100699其他试验仪器及装置

1. 在硅深孔刻蚀后，通过表面氧化物生成及氢氟酸去除循环工艺去除硅片表面颗粒。 技术指标：样品尺寸：8英寸晶圆；化学液：至少包含DIW及DHF；配备臭氧模块；清洗后颗粒残留：颗粒直径≥300nm总数≤50，扣除5mm无效边缘。 2. 数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。

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1. 在硅深孔结构或介质层开孔中电镀金或铜金属。 技术指标：样品尺寸：8英寸晶圆；可电镀金属：Cu，Au；电镀腔体：Cu（浅槽结构）、Cu（深孔结构）、Au（平面选择性电镀）；膜厚均匀性：优于±5%；硅深孔深宽比：可在深宽比≥12的深孔结构实现无孔洞填充。 2. 数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。

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1. 针对金属互联工艺，于孔槽结构电镀铜材料后的平坦化工艺。 技术指标：样品尺寸：8英寸晶圆；去除率：≥300nm/min；去除率均匀性： ≤5%；表面粗糙度： ≤0.5nm；抛光后铜凹陷：≤50nm 2. 数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。

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1. 在硅深孔电镀前，利用离子化溅射增粘层及种子层材料； 技术指标：样品尺寸：8英寸晶圆；真空腔体：至少包含2个溅射主腔，1个传输腔；最大硅深孔深宽比：≥10且膜层无中断；镀膜材料：至少包含钛、铜；膜厚均匀性：≤3% 2. 数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。

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1. 在硅盲孔内沉积掺杂多晶硅材料，实现无孔洞填充 技术指标：1套沉积炉管，自动机械手臂传/送样；工件盘尺寸满足6寸或8寸晶圆；单炉装载量≥25片/炉；掺杂多晶硅薄膜均匀性≤±5% 2.数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。

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1.在硅或SOI衬底上利用干饭刻蚀实现深度超百微米量级的深孔结构； 技术指标：. 最大样品尺寸:8英寸向下兼容；通孔最大深宽比:≥40:1；下电极包含低频模块；刻蚀面内均匀性：≤5%。 2.数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。

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1.在整晶圆上，执行半自动化金属绑线。 技术指标： 键合头Z轴标准行程不小于40mm； 重复性精度 不大于± 3 micron@3 sigma； 包含细丝深腔楔形键合和金丝球键合。 2. 数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。

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1.用于金刚石薄膜材料刻蚀，实现三维探针结构。 系统组成：1个刻蚀主腔，1个进样腔，由自动机械手臂进行传送样； 样品尺寸：单片刻蚀，8寸向下兼容； 刻蚀面内均匀性： ≤5%。 2. 数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。

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1.高能粒子对铌酸锂、非反应类金属进行干法刻蚀。 技术指标： 系统组成：1个刻蚀主腔，1个进样腔，由自动机械手臂进行传送样； 样品尺寸：8寸向下兼容； 刻蚀面内均匀性：≤5%。 2. 数量: 1套 质保期: 1年以上 售后维保:国内必须设有维护点;24小时维修响应。

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