zycgr220119022026年10月政府采购意向

A02330300 电子工业生产设备

本次采购热贴机1套，主要用于碳化硅芯片、铜片等互连构件的自动拾取、精密对位、加热贴装及预连接。对位精度±10～±15 μm，加热头最高工作温度大于 200 ℃，贴装压力0.1～250 N，兼容6英寸、8英寸晶圆及华夫盘、料带供料，满足高温互连前芯片位置及界面一致性控制需求。

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本次采购去胶清洗机1套，作用是使用有机化学药液浸泡或喷淋溶解去除碳化硅使用的正性光刻胶，有选择性地去除表面有机物及金属剥离残留物，且不损伤下方金属层及介质层。采购金属后清洗机1套，作业范围覆盖多晶硅、氮化硅及氧化膜腐蚀、去除尘埃、有机颗粒、金属离子的清洗机器，满足碳化硅作业过程中维持后道工艺晶圆表面对清洁度的要求。采购单片背面腐蚀机1套，腐蚀去除晶圆背面二氧化硅和多晶硅复合层专用的关键设备，确保背面溅射洁净表面形成良好的金半接触。三个工艺腔,用于BOE和硅腐蚀液工艺交替使用。采购的金属电镀系统1套，主要用于在碳化硅衬底上依次沉积金属层的多层表面处理工艺。

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本次采购原子层沉积设备1套，其是一种以单原子膜形式逐层堆叠的薄膜沉积设备，能够生长碳化硅用的高介电常数栅极介质层，精度达亚纳米级的薄膜，沉积薄膜种类包括二氧化硅、三氧化二铝、氧化铪等高k介质。适用于高深宽比微结构，同时满足台阶覆盖率≥95%，前驱体系统应具备单独加热源瓶，可供应前驱体不少于6种。

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本次采购钨化学气相沉积设备1套，主要用于碳化硅接触孔的金属化填充钨塞工艺，形成低电阻的钨栓塞，具有优异的台阶覆盖能力，可填充高深宽比的结构，台阶覆盖率≥95%，满足片内均匀性和片间均匀性均≤3%。

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本次采购钨膜平坦化系统设备1套，对碳化硅填充的钨金属层进行平坦化处理，能精确控制钨的残留厚度，满足纳米级器件的严苛要求，形成高质量的钨插塞，实现钨塞的电气隔离。

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本次采购的图形化系统一套，包括包括涂胶系统曝光系统和显影系统适用于功率器件图形工艺，在晶圆被光刻机曝光之前均匀涂上光刻胶，并在曝光之后将电路图案精准“显影”出来备，通过投影系统将掩模版上的图案转移到碳化硅片上的光刻胶上。

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本次采购铜镀膜系统，主要用于半导体工艺中的铜阻挡层与铜种子层沉积，该系统作为铜互连工艺的核心装备，在介电层或阻挡层上形成薄而连续的导电铜膜，为后续电镀填充提供导电基底。

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本次采购的坚膜退火系统1套，包括光刻胶烘烤烘箱，HMDS烘箱，高温烘箱。主要用于半导体制造黄光制程及高温热处理工艺。该套设备作为半导体产线的核心热处理装备，需满足芯片、MEMS、半导体器件制造对温度均匀性、腔体洁净度及工艺可靠性的严苛要求。

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本次采购芯片激光划片系统1套，主要用于高压碳化硅芯片的划片，裂片，贴膜，解胶，扩膜。划片采用隐切方式，激光功率≥5W，切割速度≥1000mm/s，脉冲频率50-100kHz可调，划片线宽≤2μm，重复定位精度可达±1μm，正面背面崩边≤15μm，切割良率≥99%